10N60C2-CYG, транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Тип каналу N
Напруга пробою сток-витік (Ubrdss), 600
Максимальний струм сток-витік при 25°С (Id), А 8
Потужність, що розсіюється при 25°C (Pd), Вт 57
Максимально допустима напруга затвор-витік (Ugs max), 30
Опір сток-витік при 10V, Ом 0.69
Українська
Кошик порожній
10N60C2-CYG, транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Тип каналу N
Напруга пробою сток-витік (Ubrdss), 600
Максимальний струм сток-витік при 25°С (Id), А 8
Потужність, що розсіюється при 25°C (Pd), Вт 57
Максимально допустима напруга затвор-витік (Ugs max), 30
Опір сток-витік при 10V, Ом 0.69
